Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50N06-09L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50N06-09L
SQD50N06-09L_GE3 Hakkında
Vishay SQD50N06-09L_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol, anahtar uygulamaları ve invertör devrelerinde kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 9mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3065 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok