Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50N05-11L_GE3
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50N05-11L
SQD50N05-11L_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQD50N05-11L_GE3, 50V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 11mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında ve 75W maksimum güç dağılımında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate şarjı (52nC @ 10V) sayesinde hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2106 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok