Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50N04-5M6_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50N04-5M6
SQD50N04-5M6_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQD50N04-5M6_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 71W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok