Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD50N04-4M5L_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD50N04
SQD50N04-4M5L_GE3 Hakkında
Vishay SQD50N04-4M5L_GE3, 40V drenaj-kaynak geriliminde 50A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 3.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 136W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok