Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SQD50N04-09H

SQD50N04-09H-GE3 Hakkında

SQD50N04-09H-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9mΩ @ 20A, 10V ile düşük on-state direnci sağlar. TO-252 (DPak) paketinde monte edilmiş olup, pwm kontrolü, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer bulur. 76nC gate charge ve 4240pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4240 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok