Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQD50034EL_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SQD50034EL

SQD50034EL_GE3 Hakkında

Vishay SQD50034EL_GE3, 60V drain-source voltajında çalışabilen ve 100A sürekli drain akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (4mΩ @ 20A, 10V) ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışmaya olanak tanır. -55°C ile +175°C arasında işletme sıcaklığında kullanılabilen bu FET, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. 90nC gate charge ve 6100pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok