Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQD50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SQD50034E

SQD50034E_GE3 Hakkında

Vishay SQD50034E_GE3, 60V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.9mΩ maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 107W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Gate charge 90nC ve input capacitance 6600pF değerleriyle hızlı anahtarlama ve verimli sürüş karakteristiği sunar. Endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok