Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD45P03-12_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD45P03-12
SQD45P03-12_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQD45P03-12_GE3, P-Channel MOSFET transistörü olarak tasarlanmıştır. 30V drain-source voltaj kapasitesine ve 50A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüleri, yük anahtarlama devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 71W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetimi kolaylıkla sağlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3495 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok