Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD40P10-40L_GE3
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD40P10-40L
SQD40P10-40L_GE3 Hakkında
Vishay SQD40P10-40L_GE3, 100V drain-source voltajında çalışabilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 38A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 10V gate voltajında 40mOhm'luk düşük on-direnci, ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5540 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok