Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD40N10-25-T4_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD40N10-25
SQD40N10-25-T4_GE3 Hakkında
Vishay SQD40N10-25-T4_GE3, 100V drain-source voltaj ve 40A sürekli drain akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, 25mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Gate eşik voltajı 2.5V, maksimum gate voltajı ±20V'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu FET, 136W maksimum güç saçılımına kapasitedir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok