Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD40031EL_GE3
MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD40031EL
SQD40031EL_GE3 Hakkında
Vishay SQD40031EL_GE3, 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketlemesi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir ve -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında güvenli operasyon sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 136W maksimum güç disipasyonu kapasitesi, soğutma gereksinimleri düşük uygulamalarda tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok