Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD40030E_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD40030E
SQD40030E_GE3 Hakkında
SQD40030E_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj sınırlaması ile 100A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürücü voltajında minimum 65nC gate yükü ile çalışır. -55°C ile 175°C arası işletme sıcaklık aralığında stabildir. Elektronik kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devrelerinde ve düşük-orta güç anahtarlaması gereken endüstriyel otomasyon sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. MOSFET teknolojisine dayalı tasarımı düşük gate yükü ve hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok