Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD25N15-52-T4_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD25N15
SQD25N15-52-T4_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQD25N15-52-T4_GE3, 150V drain-source gerilim ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen cihaz, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 51nC ve giriş kapasitanı 2200pF olan bileşen, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. 107W maksimum güç dissipasyon kapasitesi ile ısıl yönetimi destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok