Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD25N06-22L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD25N06-22L
SQD25N06-22L_T4GE3 Hakkında
Vishay SQD25N06-22L_T4GE3, 60V drain-source voltajında 25A sürekli drain akımı sağlayan N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci karakteristiği gösterir. Gate eşik voltajı 2.5V olup, ±20V maksimum gate voltajı ile çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, 62W maksimum güç yayılabilme kapasitesi ile soğutma uygulamaları, motor sürücüleri, güç anahtarlaması ve konverter tasarımlarında kullanılır. 50nC gate charge ve 1975pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok