Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD25N06-22L_GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD25N06-22L
SQD25N06-22L_GE3 Hakkında
SQD25N06-22L_GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 22mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) paket tipi yüzey montajlı uygulamalara uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok