Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD23N06-31L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD23N06-31L
SQD23N06-31L_T4GE3 Hakkında
Vishay SQD23N06-31L_T4GE3, 60V drain-source gerilimi ve 23A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 31mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. 24nC gate charge ve 845pF input capacitance özellikleri, hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok