Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQD23N06-31L_GE3

MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SQD23N06-31L

SQD23N06-31L_GE3 Hakkında

Vishay SQD23N06-31L_GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 60V drain-source gerilim ve 23A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 31mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletiş kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücü devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 37W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 845 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok