Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD19P06-60L_T4GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD19P06-60L
SQD19P06-60L_T4GE3 Hakkında
Vishay SQD19P06-60L_T4GE3, 60V drain-source voltajda çalışabilen P-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 55mΩ on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-252-3 (DPak) paket formatında surface mount montajına uygun olup, -55°C ile +175°C arasında stabil çalışma performansı sunar. Güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler, solenoid kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok