Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD10N30-330H
SQD10N30-330H_GE3 Hakkında
Vishay SQD10N30-330H_GE3, 300V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 330mΩ maksimum RDS(on) değeri ile etkili güç yönetimi sağlar. TO-252-3 (DPak) kasa tipinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 47nC@10V olup, anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon ve düşük güç kaybı özellikleri gösterir. 107W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2190 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok