Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD10950E_GE3
MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD10950E
SQD10950E_GE3 Hakkında
Vishay SQD10950E_GE3, 250V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 11.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paket tipinde gelen bu bileşen, 162mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 162mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok