Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD100N04-3M6_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD100N04
SQD100N04-3M6_GE3 Hakkında
Vishay SQD100N04-3M6_GE3, 40V drain-source voltajına ve 100A sürekli dren akımına sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.6 mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi uygulamalarında, DC/DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş özellikleriyle hızlı ve verimli komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok