Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD100N03-3M4_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD100N03
SQD100N03-3M4_GE3 Hakkında
Vishay SQD100N03-3M4_GE3, 30V Drain-Source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 3.4mOhm (10V, 20A) on-state direnç değerine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketlemesi ile yüzey montajlı uygulamalara uygundur. Gate charge 124nC @ 10V ve ±20V maksimum gate-source voltaj sınırlaması bulunmaktadır. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığında, 136W maksimum güç dağılımı ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7349 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok