Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD100N02
SQD100N02-3M5L_GE3 Hakkında
Vishay SQD100N02-3M5L_GE3, 20V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 3.5mΩ maksimum RDS(on) değerine ve 110nC maksimum gate şarjına sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, 83W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile düşük voltaj, yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok