Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQD07N25-350H_GE3
MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQD07N25-350H
SQD07N25-350H_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQD07N25-350H_GE3, 250V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 7A sürekli drenaj akımı ve 350mOhm (10A, 10V koşullarında) RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 29nC gate charge ve düşük giriş kapasitansı (1205pF @ 25V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1205 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok