Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQA600CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
SQA600CEJW

SQA600CEJW-T1_GE3 Hakkında

Vishay SQA600CEJW-T1_GE3, otomotiv uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj toleransı ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. 54.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. PowerPAK SC-70W-6 yüzeye monte paketinde, kompakt boyutu ile yoğun PCB tasarımlarına uyum sağlar. Otomotiv endüstrisinin yüksek kalite standartlarına uygun olarak üretilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54.6mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK®SC-70W-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok