Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQA470EEJ
SQA470EEJ-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQA470EEJ-T1_GE3, 30V dayanıklılığa sahip N-Channel MOSFET transistördür. 2.25A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 56mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Mobil cihazlar, IoT uygulamaları, batarya yönetim sistemleri ve düşük voltaj anahtarlama devreleri gibi gömülü sistemlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 453 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 13.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok