Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQA442EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
PowerPAK® SC-70-6
Seri / Aile Numarası
SQA442EJ

SQA442EJ-T1_GE3 Hakkında

Vishay SQA442EJ-T1_GE3, 60V drain-source voltaj ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 9A sürekli drain akımı kapasitesi ve 32mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıplı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. PowerPAK SC-70-6 paketinde sunulan bu bileşen, kompakt boyutu ve yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 636 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 13.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok