Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQA410EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SC-70-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQA410EJ
SQA410EJ-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQA410EJ-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltajı ve 7.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 28mOhm RdsOn direnci ile düşük güç kaybı sağlayan bu FET, Power Management, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. PowerPAK SC-70-6 kompakt paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 13.6W güç disipe edebilir. 4.5V gate sürücü voltajında optimize edilen tasarımıyla gömülü sistemlerde ve taşınabilir cihazlarda düşük voltaj anahtarlaması için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 13.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok