Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ9407EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ9407EY
SQ9407EY-T1_GE3 Hakkında
SQ9407EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 85mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimli tasarımlara olanak tanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 3.75W maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok