Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ9407EY-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ9407EY
SQ9407EY-T1_BE3 Hakkında
SQ9407EY-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 85mΩ on-state direnci (Rds On), 40nC gate yükü ve düşük input kapasitansi (1140pF) sayesinde anahtarlama hızı yüksektir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun şekilde üretilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok