Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ7415AENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK 1212-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ7415A
SQ7415AENW-T1_GE3 Hakkında
SQ7415AENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. PowerPAK® 1212-8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 53W'a kadar güç dağıtabilir. Gate şarjı 38nC (10V'ta), giriş kapasitansi 1385pF (25V'ta) olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V Vgs dayanımı ile geniş kontrol voltaj aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1385 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok