Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4850EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4850EY
SQ4850EY-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQ4850EY-T1_GE3, 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 8-SOIC (SO-8) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 22mΩ tipik on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 30nC gate charge karakteristiğine sahip SQ4850EY, güç elektronikleri, motor kontrol uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama devreleri gibi orta güç seviyesi uygulamalarda kullanılır. 4.5V ve 10V kontrol gerilimi seçenekleriyle tasarlandığından, farklı sürücü devrelerine entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok