Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4850EY

SQ4850EY-T1_BE3 Hakkında

Vishay SQ4850EY-T1_BE3, N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 12A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 22mOhm maksimum on-direnci sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar ve 6.8W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6A, 5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok