Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4483EY

SQ4483EY-T1_GE3 Hakkında

Vishay SQ4483EY-T1_GE3, 30V/30A P-Channel MOSFET transistörüdür. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük RDS(on) değeri (8.5mΩ @ 10A, 10V) sayesinde ısıl kayıplar minimize edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı desteği ile geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Gate charge özelliği (113nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. Güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok