Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4483EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4483EY
SQ4483EY-T1_BE3 Hakkında
SQ4483EY-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 8.5mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2.5V olup, ±20V maksimum gate-source geriliminde güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok