Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4435EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4435EY
SQ4435EY-T1_BE3 Hakkında
SQ4435EY-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 18mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate drive voltajında 58nC gate charge karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2170 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok