Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4431EY-T1_BE3

MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4431EY

SQ4431EY-T1_BE3 Hakkında

Vishay SQ4431EY-T1_BE3, 30V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 10.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 30mΩ tipik on-direnci ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate gerilim aralığı ±20V olan bu transistör, 4.5V ve 10V sürücü gerilimlerinde optimize edilmiştir. Motor kontrolü, güç kaynakları, yük anahtarlaması ve genel anahtar uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1265 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok