Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4425EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4425EY
SQ4425EY-T1_GE3 Hakkında
SQ4425EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 18A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 12mΩ on-direnci ve 50nC gate yükü özellikleriyle, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilen transistör, motor kontrolü, DC-DC konverterler, yük anahtarlaması ve güç dağıtım sistemlerinde yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok