Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4425EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4425EY

SQ4425EY-T1_BE3 Hakkında

SQ4425EY-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10V'de 12mOhm) sayesinde güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv elektronik uygulamaları için uygun bir seçenektir. Anahtarlama ve doğrultma devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3630 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok