Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4410EY-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4410EY

SQ4410EY-T1_GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SQ4410EY-T1_GE3, N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 15A maksimum sürekli dren akımına sahiptir. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 12mΩ maksimum on-direnç değeriyle (10A, 10V'ta) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma aralığına ve 5W maksimum güç dağılımına sahiptir. Gate charge'ı 53nC (@10V) olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2385 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok