Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4401EY-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4401EY

SQ4401EY-T1_GE3 Hakkında

Vishay SQ4401EY-T1_GE3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 17.3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulur. 10V gate geriliminde 14mΩ on-state direnci ve 2.5V threshold gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrol devreleri ve anahtarlama converterlerinde uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4250 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 7.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok