Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4182EY

SQ4182EY-T1_BE3 Hakkında

SQ4182EY-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 32A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.8mOhm düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve elektrik yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygunluğunu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 7.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok