Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4153EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4153EY
SQ4153EY-T1_GE3 Hakkında
SQ4153EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltajında 25A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 8.32mΩ on-direnç değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirmesine olanak tanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Gate şarj değeri 151nC olup, hızlı kapanış ve açılış işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.32mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok