Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4153EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4153EY
SQ4153EY-T1_BE3 Hakkında
SQ4153EY-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 25A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate voltajında 8.32mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Maksimum 7.1W güç dağıtabilen bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 151nC gate charge ve 11000pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.32mOhm @ 14A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok