Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4080EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4080EY
SQ4080EY-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ4080EY-T1_GE3, 150V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. 8-SO yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 85mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 7.1W maksimum güç tüketimini destekler. Düşük gate charge (33nC @ 10V) ve input capacitance (1590pF @ 75V) özellikleri ile hızlı switching uygulamalarına uygundur. Güç dönüştürme, motor sürücü devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1590 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok