Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4064EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4064EY
SQ4064EY-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ4064EY-T1_GE3, 60V drain-source geriliminde 12A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (43nC @ 10V) ve optimize edilmiş RDS(on) değerleri (19.8mOhm @ 10V) ile karakterizedir. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve maksimum 6.8W güç tüketebilen bu FET, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve motor sürücü tasarımlarında kullanılmaktadır. ±20V gate gerilimi aralığında ve 2.5V düşük eşik gerilimi ile sürülebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2096 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.8mOhm @ 6.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok