Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4064EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4064EY

SQ4064EY-T1_BE3 Hakkında

SQ4064EY-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 19.8mOhm (10V, 6.1A) on-resistance değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge karakteristiği ve düşük input kapasitansi ile hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde uygulanabilir. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2096 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.8mOhm @ 6.1A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok