Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ4050EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ4050EY
SQ4050EY-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ4050EY-T1_GE3, N-Channel MOSFET transistördür. 40V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 19A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 8mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 51nC olup hızlı anahtarlama özellikleri vardır. 8-SOIC yüzey monte pakette sunulur. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu bileşen, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları ve indüktif yük sürücülerinde yaygın olarak kullanılır. 10V kapı geriliminde optimum performans gösterir ve 6W maksimum güç yayımlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2406 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok