Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SQ4005EY

SQ4005EY-T1_GE3 Hakkında

SQ4005EY-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 22mOhm çıkış direncine sahiptir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar. Düşük gate charge (38nC) ve input capacitance (3600pF) değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarında verimlilik sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm@ 13.5A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok