Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ3495EV-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SQ3495EV

SQ3495EV-T1_GE3 Hakkında

SQ3495EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile 8A sürekli drain akımı sağlayabilir. SOT-23-6 (TSOP) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlarda kullanılır. 4.5V gate geriliminde 21mΩ on-dirençi ve 41nC gate yükü karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve motor kontrol gibi alanlarda tercih edilir. 5W maksimum güç saçma kapasitesi ile enerji verimliliğine katkı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3950 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok